InGaAs 微光顯微鏡

技術原理：

InGaAs 微光顯微鏡其原理是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子，與過往的微光顯微鏡（EMMI）原理相同，世代演進後使用新的偵測器材料：砷化鎵銦，讓可偵測波長範圍和所激發出光子的波長範圍更為相配，且與目前主流的背向（透過Si）偵測方式所處波長範圍更匹配，因此InGaAs微光顯微鏡可大大提高偵測效能。